BJT

BJT atau Bipolar Junction Transistor adalah transistor dua-dinding yang menggunakan arus pembawa utama berupa elektron dan lubang untuk menguatkan sinyal. Perangkat ini memiliki tiga kaki utama: basis (B), emitter (E), dan kolektor (C). Berdasarkan cara arus mengalir antara basis dan kolektor, BJT dibedakan menjadi dua tipe utama: NPN dan PNP. Operasi BJT bergantung pada penyatuan junction semiconductor antara emitter-basis dan basis-kolektor, sehingga arus basis yang sangat kecil dapat mengontrol arus kolektor yang jauh lebih besar, memungkinkan fungsi penguatan sinyal. Dua mode operasi utama BJT adalah aktif (forward-active) dan saturasi atau cut-off: dalam mode forward-active, basis-emiter berada di forward bias dan basis-kolektor di reverse bias, menghasilkan penguatan yang stabil; dalam mode saturasi, transistor mengalir penuh (on) dengan arus kolektor maksimal, sedangkan di cut-off transistor on tidak terjadi arus kolektor. BJT sering digunakan sebagai amplifier sinyal (penguat kelas A, B, atau AB) dan sebagai saklar elektronik dalam rangkaian logika maupun driver daya. Kelebihan BJT meliputi gengsi penguatan yang konsisten dan respons frekuensi yang baik pada beberapa aplikasi, namun kelemahannya mencakup kebutuhan arus basis relatif lebih besar dibanding MOSFET dalam beberapa kasus, serta sensitivitas terhadap variasi suhu yang mempengaruhi karakteristik gain. Desain rangkaian dengan BJT melibatkan parameter penting seperti beta (penguatan arus) yang mempengaruhi stabilitas bias, serta konfigurasi sirkuit seperti common-emitter, common-base, dan common-collector yang menentukan karakteristik penguatan dan impedansi input/output.